【深铭易购】资讯：三星电子在今年9月12日正式宣布，继4月推出业内首款基于TLC的第9代V-NAND之后，现已开始批量生产全球首款1Tb QLC第9代V-NAND。这一举措将进一步稳固三星在高容量、高性能NAND闪存市场的领先地位。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术主管Hur SungHoi表示：“在TLC版本发布仅四个月后，我们成功实现了QLC第9代V-NAND的量产，能够为AI时代提供完整的高级SSD解决方案。”他还补充道：“随着企业级SSD市场的快速增长，AI应用的需求也愈加旺盛，我们将继续通过QLC和TLC第9代V-NAND，巩固我们在该领域的领导地位。”

三星计划扩展QLC第9代V-NAND的应用领域，从消费级品牌产品开始，逐步扩展至移动通用闪存（UFS）、PC及服务器SSD，满足包括云服务提供商在内的客户需求。

三星第9代QLC V-NAND汇集了多项创新技术，推动了技术进步：

· 先进的通道孔蚀刻技术：三星采用双堆栈结构，实现业内最高层数。借助TLC第9代V-NAND的技术优势，优化了单元与外围电路的面积，使位密度相比上一代QLC V-NAND提高了约86%。

· Designed Mold技术：通过调整操作单元的字线（WL）间距，确保层间和层内单元特性的均匀性与优化，数据保留性能提升约20%，显著提高产品可靠性。

· Predictive Program技术：该技术通过预测并控制单元状态变化，减少不必要操作，显著提升了写入性能，并使数据I/O速度提高了60%。

· 低功耗设计：通过降低驱动NAND单元的电压，数据读取和写入功耗分别减少约30%和50%，有效提升了整体能效。