【深铭易购】资讯：韩国存储芯片巨头SK海力士于当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特举行存储器综合基地奠基仪式，标志着公司在美国建设的首座高带宽存储器（HBM）先进封装生产基地正式启动。

此次奠基仪式在普渡大学霍洛威体育馆举行，印第安纳州州长迈克·布劳恩、美国参议员托德·扬以及普渡大学校长米奇·丹尼尔斯等政商学界人士出席。SK集团和SK海力士多位高层也参加了活动。

SK海力士CEO郭鲁正在致辞中表示，人工智能时代对内存产品提出了更高要求。除了生产高性能内存，公司还需要针对客户的AI系统开发定制化内存解决方案，并通过先进封装技术进一步释放内存、AI芯片及整个系统的性能。

据介绍，SK海力士印第安纳州基地预计总投资超过40亿美元。项目计划于2028年10月完成无尘室建设，并于2029年下半年开始新一代HBM量产。全面运营后，该基地预计将创造超过1,000个就业岗位，并成为SK海力士在美国的重要HBM生产与研发基地。

在生产模式方面，该基地将建立连接韩国和美国的供应链体系。SK海力士计划将韩国生产的先进晶圆运往印第安纳州，在当地完成先进封装和测试，再将美国制造的HBM产品供应给当地客户。同时，基地还将配套建设先进封装研发和测试设施，以便与客户、高校及商业合作伙伴共同开展下一代封装技术研发，并加快原型产品测试和性能验证。

SK海力士表示，该项目正在带动当地半导体供应链集群发展。目前已有超过100家半导体材料、零部件和设备企业就进驻西拉斐特展开洽谈。公司预计，随着基地建设和运营推进，将与美国企业共同创造约7,000个直接及间接就业岗位，并进一步推动当地AI产业生态建设。

美国商务部官员在仪式上透露，美国政府已依据《芯片与科学法案》（CHIPS Act）向SK海力士提供4.58亿美元资金，用于支持该先进封装及研发项目。

此外，SK海力士当天还与普渡大学签署先进封装研发合作谅解备忘录（MOU）。双方将加强学术和技术研发合作，围绕HBM、下一代系统集成及先进封装技术开展研究。SK海力士还计划扩大与美国中西部高校和研究机构的合作，以加强半导体人才培养和技术研发。

此次印第安纳项目不仅是SK海力士扩大美国HBM产能的重要布局，也体现出公司正通过先进封装、产学研合作和本地供应链建设，进一步强化其AI存储器业务在美国市场的布局。