【深铭易购】资讯：据媒体报道，博世位于美国加利福尼亚州罗斯维尔（Roseville）的首座半导体工厂已开始进行碳化硅（SiC）芯片样品生产，并与美国商务部正式敲定2.25亿美元资助协议。该项目总投资约20亿美元，预计将于今年晚些时候进入商业化量产阶段。

据了解，该工厂由博世于2023年收购TSI Semiconductors后进行全面升级改造，是公司强化北美半导体制造布局的重要项目。此次获得的资金来自美国商务部芯片项目办公室，该项目依据2022年《芯片与科学法案》（CHIPS Act）设立，旨在扩大美国本土半导体产能，并降低对海外供应链的依赖。

博世北美总裁兼首席执行官Paul Thomas表示，《美墨加协定》（USMCA）是公司持续扩大美国投资的重要推动因素。随着全球企业加快建立本地化供应链，汽车制造商越来越倾向于与能够提供稳定、长期供货能力的本土供应商合作。

碳化硅芯片主要应用于高压电力控制领域，与用于车载信息娱乐系统或高级驾驶辅助系统（ADAS）的传统芯片不同，其在新能源汽车中承担着电池、电机及电驱系统的功率转换任务，可有效提升电能转换效率，降低发热和能量损耗，并改善车辆续航能力和充电速度。

除新能源汽车外，碳化硅器件在高功率数据中心及国防电子等领域也拥有广阔应用前景。Paul Thomas表示，虽然全球电动车市场增速低于此前预期，但混合动力汽车、数据中心及国防市场持续增长，为碳化硅业务带来了新的发展机遇，也进一步增强了公司扩大投资的信心。

与此同时，博世宣布计划在2031年前继续向美国市场投资最高75亿美元，进一步扩大在半导体及相关业务领域的布局，持续提升本土研发与制造能力。