【深铭易购】资讯：三星电子正加速推进重新夺回全球DRAM市场领导地位的战略。此前在AI半导体关键组件——高带宽内存（HBM）领域的激烈竞争中，三星于今年第一季度被SK海力士超越，失去了市场领先地位。然而，随着下一代DRAM良率的显著改善，三星已快速启动大规模量产准备工作，为年内量产HBM4奠定基础。

据业内知情人士透露，三星电子上月在10nm级第六代DRAM晶圆的性能测试中，良率已达到50%至70%，远高于去年同期不足30%的水平，显示出技术上的重大突破。此次良率飞跃得益于三星对芯片结构进行的全面重新设计，其研发团队通过多项架构创新，有效提升了生产效率与芯片性能。

值得关注的是，三星原计划在2023年底实现第六代DRAM的量产，但为了提升产品可靠性和性能，选择推迟量产并进行大胆的重新设计。这一决策虽可能导致项目延后一年以上，但如今随着测试结果理想，三星正积极加大在平泽园区的投资，提前部署生产线，力争在年内完成最终测试并正式投产。

据悉，三星将第四工厂的DRAM产线用于移动（LPDDR）与服务器内存应用，同时，第六代DRAM用于HBM4的量产线则布局于平泽第三工厂。业内人士指出，由于DRAM的核心结构——存储单元在移动/服务器DRAM与HBM产品之间高度相似，因此此次量产的成功将直接推动HBM4的量产进程。

随着工艺成熟与产线扩建，三星有望在平泽3号工厂加大对HBM4的投资力度，进一步提升在AI时代内存领域的技术话语权与市场份额。