【深铭易购】资讯：随着高带宽内存（HBM）需求持续攀升，HBM4已成为全球DRAM产业的新竞争焦点。为缩小与当前市场领导者SK海力士之间的差距，三星电子正大举投资，强化其在1c DRAM（第六代10nm级制程）技术方面的量产能力。

据韩国媒体《ZDNet Korea》报道，三星计划于今年底前，在韩国华城和平泽园区扩大1c DRAM的生产部署。相较于SK海力士与美光采用1b DRAM（第五代10nm级制程）作为HBM4的基础技术，三星选择更具挑战性的1c DRAM，显示其对先进制程良率提升的高度信心。

报道称，三星还在评估将华城17号生产线从原有的1z DRAM（第三代10nm级）制程技术，转换为1c DRAM的可能性，进一步扩大产能，以因应未来HBM4的庞大市场需求。

值得一提的是，三星于2025年初已率先在平泽P4园区启用全球首条1c DRAM生产线，初期月产能为3万片晶圆，后续有望提升至4万片，展现出其在新一代内存市场的积极布局。

此外，韩国《朝鲜日报》也曾披露，三星采用4nm制程打造的HBM4关键组件——12层堆叠所需的逻辑芯片，在测试生产阶段已达成超过40%的良率，为HBM4的量产奠定基础。

根据市场研究机构TrendForce的预测，随着AI、HPC等高性能运算应用对内存带宽的需求持续激增，2026年全球HBM出货总量预计将突破300亿GB。而HBM4预计将在2026年下半年超越HBM3e，成为主流的高带宽解决方案，进一步巩固三星在下一代DRAM市场的竞争力。