【深铭易购】资讯：5月22日，韩国存储芯片领军企业SK海力士正式宣布，成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC 4D NAND Flash的新一代UFS 4.1移动存储解决方案。该产品专为支持端侧（On-device）AI运行环境而优化，在性能与能效方面实现了重大突破。

SK海力士指出，为了保障移动设备中AI应用的高效稳定运行，NAND闪存解决方案不仅要具备卓越的性能，还必须满足低功耗需求。此次发布的UFS 4.1新品正是基于AI工作负载优化设计，将进一步巩固公司在旗舰智能手机存储市场的技术领先地位。

随着端侧AI需求的持续增长，移动终端设备对计算性能与电池续航之间的平衡要求愈发严格。超薄机身设计与高能效表现已成为行业主流标准。此次SK海力士推出的新品相较上一代238层NAND产品，在整体能效方面提升了7%，同时产品厚度由原先的1mm进一步缩减至0.85mm，更适配超薄智能终端的设计需求。

在数据传输性能方面，该产品全面支持UFS 4.1的顺序读写峰值，顺序读取速度高达4300MB/s。决定多任务处理能力的随机读取与写入性能也有显著提升，分别比上一代产品提高了15%与40%，达到目前全球UFS 4.1产品中的领先水准。

借助该产品，移动设备可实现更快速的数据访问，有效满足AI应用对实时性和响应速度的要求，显著提升用户的操作体验和系统运行效率。

新产品将提供512GB与1TB两种容量规格，SK海力士计划于年内向客户交付样品，展开验证流程，并于2026年第一季度正式启动量产。

SK海力士开发总管（CDO）安炫社长表示：“此次产品的成功开发，是我们技术革新的重要里程碑。公司计划年内完成基于321层4D NAND的消费级与数据中心级SSD产品开发，进一步构建涵盖AI技术全领域的存储解决方案阵容，强化我们作为‘全方位AI存储器解决方案提供商（Full Stack AI Memory Provider）’的战略定位。”