【深铭易购】资讯：据最新消息，全球领先的晶圆代工厂台积电（TSMC）确认，其未来的1.4nm制程节点——A14工艺在制造过程中将不采用High NA（高数值孔径）极紫外光（EUV）光刻技术。A14工艺计划于2028年正式投入量产。

台积电此前也曾表示，其下一代A16工艺将于2026年底面世，同样无需使用High NA EUV光刻设备。这一策略由台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang公开说明，他指出：“从2nm工艺推进至A14，我们并不需要High NA技术，同时仍可维持相似的工艺复杂度。”

这一立场与竞争对手英特尔形成鲜明对比。英特尔正积极拥抱High NA EUV光刻技术，力求在先进制程方面赶超台积电与三星。英特尔是首家引进ASML High NA EUV光刻设备的企业，计划自2025年起将其应用于Intel 18A工艺节点。

台积电目前尚未采用High NA技术的关键原因在于设备成本高昂。据悉，一台High NA EUV光刻机的售价高达3.8亿美元，约为上一代Low NA设备（1.8亿美元）的两倍以上。台积电评估后认为，采用当前Low NA EUV设备并进行多重图案化更具成本效益，尽管生产时间略有延长，但已验证的高良率依旧为其提供了竞争优势。

值得注意的是，A14制程的初始产品将不支持背面供电技术（Backside Power Delivery）。支持该先进封装技术的A14P工艺预计于2029年推出，而A14的高性能版本——A14X，则可能成为台积电未来引入High NA EUV光刻技术的潜在起点。

尽管英特尔和三星正在积极布局High NA EUV光刻技术，试图在先进制程领域追赶台积电，但高昂的研发成本仍是一大挑战。台积电显然在技术成熟与成本效益之间做出了平衡，在未来确定High NA技术带来经济效益的前提下，或将择机导入该项技术。