【深铭易购】资讯：美光（Micron）宣布了其下一代 HBM4 和 HBM4E 技术的最新进展，预计将于 2026 年开始大规模量产。作为推动人工智能计算能力提升的关键技术，HBM4 预计将为性能和能效带来革命性的突破。美光与 SK 海力士、三星等行业巨头在 HBM4 市场中展开激烈竞争，最新的投资者会议中，美光透露其 HBM4 的研发进展顺利，且 HBM4E 的开发工作也已正式启动。

美光表示，依托于成熟的 1β 工艺技术和持续的研发投入，HBM4 在上市时间和能效方面有望领先，性能相比 HBM3E 提升超过 50%。预计 HBM4 将于 2026 年实现量产。

在 HBM4 的推出之后，HBM4E 将紧随其后。HBM4E 将通过采用台积电先进的逻辑代工工艺，为特定客户提供定制化的逻辑基础芯片，从而为存储器业务带来创新的商业模式。这一定制能力预计将显著提升美光的财务表现。

HBM4 在多个方面具有革命性意义，尤其是业内计划将内存和逻辑半导体集成到同一封装中。这一创新不仅消除了对传统封装技术的依赖，还能通过芯片更加紧密地集成，提高性能和效率。美光选择与台积电合作作为“逻辑半导体”供应商，这与 SK 海力士的供应商战略相似。

美光还透露了 HBM4E 技术的进展，成为继 SK 海力士之后，首批公开这一技术发展的公司之一。虽然目前美光尚未披露 HBM4 的详细规格，但该公司透露，HBM4 预计将支持最多 16 层 DRAM 堆叠，每层容量为 32GB，并采用 2048 位宽接口，使得这一技术在性能上大幅超越上一代产品。

在应用领域，HBM4 有望与 AMD 的 Instinct MI400 系列以及英伟达的 Rubin AI 架构配合使用。随着 HBM 技术的需求持续增长，美光也透露了其生产线在 2025 年的预订情况，未来前景更加广阔。