【深铭易购】资讯：据悉，三星电子正与台积电携手合作，研发下一代高带宽存储器（HBM4）人工智能（AI）芯片，旨在进一步巩固其在快速增长的AI芯片市场中的领先地位。台积电生态系统与联盟管理负责人Dan Kochpatcharin在2024年台湾半导体展（Semicon Taiwan 2024）上透露，两家公司正在共同开发无缓冲的HBM4芯片。

HBM技术对于推动AI发展至关重要，因其相比传统内存芯片具有更快的处理速度。HBM4是第六代高带宽存储器芯片，三星、SK海力士、美光科技等主要存储厂商计划最早在明年为包括英伟达在内的AI芯片制造商大规模生产该芯片。

业内分析人士指出，三星与台积电在无缓冲HBM4芯片的合作将成为双方在AI芯片领域的首次联手。在代工制造领域，三星是全球第二大厂商，与台积电展开了激烈竞争。行业专家表示，无缓冲HBM4芯片在能效上比现有产品提升了40%，延迟则降低了10%。

Dan Kochpatcharin还强调，随着内存制造技术日益复杂，合作变得比以往任何时候都更为重要。三星预计将在2025年量产HBM4芯片。据消息人士透露，三星与台积电的合作将从尖端的第六代HBM4芯片开始，并计划在明年下半年实现大规模量产。尽管三星能够提供全面的HBM4服务，包括内存生产、代工和先进封装，但其希望借助台积电的技术吸引更多客户。

根据市场研究公司TrendForce的数据，三星目前在全球HBM市场占有35%的份额。为了进一步巩固其在HBM市场的领导地位，SK海力士已于今年4月宣布与台积电合作开发HBM4芯片，并计划在2026年实现量产。