【深铭易购】资讯：在AI热潮下，机器学习和生成式AI需要大量计算能力和存储空间，这对存储芯片市场形成了强劲的推动力。TechInsights的报告显示，得益于AI数据中心对高带宽存储器（HBM）的旺盛需求，以及NAND闪存使用量的增加，存储市场已经全面复苏。在此过程中，HBM3e、QLC NAND、GDDR7等新型存储产品展现了巨大潜力。三大存储巨头也积极调整策略，争取在新一轮市场周期中占据优势地位。

据供应链企业透露，三星计划将高达三成的现有DRAM产能用于生产HBM3e，这将导致DRAM市场供应更加紧张。根据集邦咨询的调查，由于通用型服务器需求复苏以及HBM生产比例的增加，预计第三季度DRAM价格将持续上涨，涨幅在8%到13%之间。

中国市场在本轮周期中也迅速回暖。半导体专家指出，2024年存储芯片市场前景看好，其中30%的需求来自中国大陆，本土厂商的供应也在稳定增长。总体来看，HBM和DDR5的需求是市场的主流。

HBM3e：三星产品认证将影响供给格局

在AI时代，HBM是最具明星效应的存储芯片。特别是HBM3e，作为HBM3的增强版，不仅在带宽上有显著提升，还优化了能效。英伟达即将推出的GB200产品线计划采用大容量的HBM3e，这将进一步推高对HBM的需求。为应对这一需求，SK海力士、美光和三星都在积极调整生产线，并在先进制程上投入更多资源。TrendForce的报告预计，到2024年底，HBM3e将占据先进工艺晶圆投入的35%。

SK海力士作为全球首家推出HBM3e的供应商，去年8月宣布开发计划。今年3月，SK海力士成功量产HBM3e并开始向客户供货。为扩大产能，SK海力士计划将韩国清州的M15X厂定为DRAM生产基地，并加速建设龙仁半导体集群和美国印第安纳州先进封装工厂等中长期投资项目。

三星电子的HBM3e目前也在进行英伟达的质量认证，尽管尚未得到最终证实。一旦获得认证，三星将有充分的机会填补市场短缺。考虑到三星在DRAM市场的规模，其产品的竞争力将对HBM市场格局产生重大影响。

美光正在全球多个生产基地扩建HBM产线，目标是在2025年将全球HBM市场份额扩大到20%至25%。美光在今年2月开始量产HBM3e解决方案，但其产品在技术上仍需进一步优化。

QLC NAND：AI提供最佳入场机会

相比MLC NAND和TLC NAND，QLC NAND每个单元可以存储更多数据，显著提升存储性能。QLC SSD在人工智能领域被认为具有巨大潜力。此前，QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域，但随着AI大模型的普及，数据中心对存储的需求激增，QLC NAND在AI和大数据领域备受看好。

目前主要的闪存厂商如三星、美光、东芝和西数等都有QLC NAND产品。2018年，三星、美光、东芝和西数发布了96层QLC NAND。2021年，三星发布176层QLC NAND闪存，显著提升写入速度。2022年，SK海力士展示了192层QLC NAND闪存。去年，三星宣称正在开发超过1000TB的QLC NAND固态硬盘SSD。

企业级QLC SSD有望成为今明两年的市场宠儿，预计2024年QLC企业级SSD的出货比特占比将超过10%，2025年出货量将继续快速增长。

GDDR7：面向轻量模型应用市场需求看好

GDDR7是最新一代图形DRAM，主要用于增强GPU的带宽和内存容量，在人工智能领域具有很强的应用潜力。GDDR7提供的高系统带宽可显著缩短生成式AI的响应时间。

目前，SK海力士、三星和美光都在争夺GDDR7的主导权。三星在今年2月展示了单引脚速率为37Gbps的GDDR7芯片，并在3月的英伟达GTC大会上展示了16GB存储密度的产品。SK海力士计划提供速率达40Gbps的GDDR7芯片，预计今年晚些时候批量出货。美光在6月的Computex 2024上展示了新一代GDDR7，数据传输速率达32Gbps。