【深铭易购】资讯：英伟达GTC将于美国西部时间3月17日举行，市场预计H200和B100将提前发布，争取先发制人。据了解，H200和新一代B100将分别采用台积电的4纳米和3纳米制程，H200计划在第二季度上市，而有传言称B100将采用Chiplet设计架构，并已经下单投片。业内人士指出，英伟达的订单强劲，台积电的3纳米和4纳米产能几乎已经满负荷，尽管是首季，但运营不淡季。

关于英伟达新一代芯片占满台积电先进制程产能的问题，台积电表示，产能和制程方面将按照上次法说会所述的内容进行，不再进一步说明。据报道，英伟达Blackwell系列的B100被市场认为是下一代英伟达GPU的利器，不仅是首个采用台积电3纳米制程的产品，更是英伟达首个采用Chiplet和CoWoS-L形式封装的产品，解决了高功耗和散热问题。预计其单卡效率和晶体管密度将超过AMD首季推出的MI300系列。

戴尔透露，英伟达即将推出的人工智能（AI）GPU Blackwell的功耗高达1000W，比上一代芯片增加了40%，因此需要戴尔借助其创新工程来冷却这些GPU。根据市场消息，英伟达B200与当前的H100产品相比，虽然计算性能更强大，但功耗也更惊人，预计最高将达到1000W，比H100增加40%以上。

英伟达的H200芯片采用Hopper架构，搭配HBM3e高带宽内存，被认为是业界性能最强大的AI运算芯片。据估计，由于B100芯片的计算能力至少是H200的两倍，甚至是H100的四倍，因此B200的计算性能将更加强大。

台积电的先进制程一直保持满负荷，2月产能利用率持续超过9成，人工智能（AI）需求持续增长。供应链表示，AI、高性能计算（HPC）等应用的芯片生产难度更高、更复杂，但台积电能够稳定量产对整个芯片行业非常重要。目前，台积电的HPC/AI应用平台占营收比重达43%，已经与智能手机持平。