【深铭易购】资讯：近日，美光科技正式发布了基于第六代10nm级制程的全新LPDDR5x DRAM内存产品——1γ（1-gamma）。该款内存的数据传输速率高达10.7Gbps（精确值为10667MT/s），处于行业领先水平。相比上一代1β产品，1γ内存在功耗方面降低了20%，大幅提升了能效表现。

在设计方面，1γ LPDDR5x DRAM模块厚度仅为0.61毫米，比1β产品减少了14%，同时比竞争对手同类产品更薄6%。这一优势为超薄及折叠屏智能手机的创新设计提供了更大空间和灵活性。值得一提的是，美光此次1γ制程是其首款采用极紫外光（EUV）光刻技术的DRAM工艺，此前该技术已应用于DDR5内存产品中。

依托业界领先的内存节点技术，1γ产品为客户带来了性能与能效的双重突破。这一重要进展基于美光今年2月推出的面向数据中心及客户端市场的下一代CPU用1γ DDR5内存样品。美光优化的1γ DRAM节点采用了先进的CMOS工艺，结合新一代高介电常数金属栅极（HKMG）技术，有效提升晶体管性能，并通过领先的EUV光刻工艺实现更高容量密度。

目前，美光已向指定合作伙伴提供了16GB封装容量的样品，未来还将推出8GB至32GB多种容量选择，预计将在2026年旗舰智能手机中率先应用。