【深铭易购】资讯：9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM技术平台（G5平台）已正式实现量产。长鑫存储表示，G5平台的工艺水平已达到全球先进DRAM量产工艺水平。

据了解，G5平台采用四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距进一步缩小至11.95纳米，接近全球先进内存量产平台的制程水平。同时，通过优化工艺流程并引入新材料，该平台将存储电容深宽比提升至45:1，有助于进一步推动DRAM存储单元微缩。

在核心工艺方面，长鑫存储还开发了适配DRAM制造工艺的高介电常数金属栅（HKMG）技术，并将G5平台核心功能区高度缩小至6762纳米。随着工艺节点持续微缩，G5平台的芯片集成密度也得到进一步提升。

据介绍，基于G5平台的微缩工艺，每片晶圆可产出的裸片数量较第四代平台提升至少50%，有望进一步提高DRAM制造效率和单位晶圆产出。

此次世界制造业大会期间，长鑫存储还展示了两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，两款产品的单颗容量均达到24Gb，较上一代同类型产品提升50%，进一步体现了G5平台在高密度移动存储产品中的应用能力。