【深铭易购】资讯：随着人工智能（AI）技术快速发展，全球数据中心、高性能计算以及生成式AI应用持续推动先进存储器需求增长，存储器半导体市场正面临供不应求的局面。为把握AI时代带来的市场机遇，SK海力士宣布一项总规模达1100万亿韩元的中长期投资计划，重点覆盖龙仁、清州及韩国西南地区三大生产基地。

根据规划，SK海力士将分别在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元，以及在韩国西南地区投资400万亿韩元，以进一步扩大DRAM、NAND Flash及先进封装产能，强化其在全球AI存储器市场的竞争力。

在DRAM领域，SK海力士正在加快龙仁半导体产业集群建设进程，以满足人工智能应用带来的强劲需求增长。公司计划于2033年前完成第四座晶圆厂建设，相较原定2045年的规划大幅提前12年。随着生产设施和设备投资逐步推进，龙仁产业集群的累计投资规模预计达到600万亿韩元，成为公司未来核心生产基地之一。

与此同时，SK海力士还将持续扩展NAND Flash业务版图。在清州，公司计划投入100万亿韩元建设新的NAND Flash晶圆厂，并导入先进制造设备。同时，SK海力士还将扩充HBM后段封装产能，进一步提升高带宽存储器（HBM）产品的生产能力。未来，清州有望发展成为集NAND Flash、HBM以及先进封装技术于一体的综合性半导体制造中心。

除了现有生产基地外，SK海力士还计划在韩国西南地区打造全新的半导体产业集群，总投资规模达400万亿韩元。该项目将分阶段推进，包括土地开发、晶圆厂建设以及生产设备导入等内容。凭借充足的土地资源以及完善的电力和水资源基础设施，该区域有望成为SK海力士未来新的大型制造基地。

SK海力士表示，此次大规模投资战略旨在积极应对全球AI产业快速发展带来的存储器需求增长。公司将在现有利川和清州生产基地基础上，加快推进龙仁产业集群建设，并进一步向西南地区扩展生产网络，为下一阶段业务增长奠定基础。

业内认为，随着AI服务器、高性能计算平台和数据中心建设持续升温，HBM、DRAM及NAND Flash等关键存储器产品需求将长期保持增长。SK海力士此次超大规模投资不仅有助于提升自身产能与技术竞争力，也将进一步推动韩国半导体产业发展，并为全球人工智能生态系统建设提供重要支撑。