【深铭易购】资讯：在市场持续看好台积电发展前景之际，公司正积极携手国际半导体产业重要伙伴，加速下一代先进制程技术布局，以进一步巩固其全球晶圆代工领先优势。

比利时微电子研究中心（imec）于16日宣布，已与半导体光刻设备龙头ASML及台积电共同开发出一套创新且具备可扩展性的12英寸晶圆整合技术平台，用于基于二维（2D）材料的n型与p型场效应晶体管（FET）制造，推动2D材料晶体管迈向大规模晶圆生产阶段。

业内人士认为，此项技术突破有望成为未来埃米级制程发展的关键基础之一，并为1纳米以下先进制程节点的材料创新提供支持，进一步强化台积电在先进制程领域的竞争优势。

台积电副总经理兼技术长曹敏表示，此次合作为半导体技术创新注入重要动力。公司致力于降低新技术从实验室研究转向量产制造过程中的风险，并加快技术导入速度，使创新通道材料能够更高效地整合至先进制造流程，最终为客户提供领先的半导体解决方案。

imec指出，新平台首次在50纳米接触栅极间距（CPP）架构下，成功展示采用二硫化钼（MoS₂）作为通道材料的n型晶体管，以及采用二硫化钨（WS₂）和二硒化钨（WSe₂）作为通道材料的p型晶体管，并实现优异的电流—电压性能表现。

这一成果标志着2D材料晶体管技术已从实验室研究迈向晶圆制造阶段的重要里程碑，未来有望应用于超高密度逻辑芯片、先进后段封装以及晶背供电等新一代半导体技术领域。

业内分析指出，过渡金属二硫族化物（TMD）材料，包括二硫化钼、二硫化钨和二硒化钨等，被视为延续摩尔定律的重要候选材料。相较于传统硅材料，这类原子级超薄材料可作为高性能导电通道，在实现晶体管持续微缩的同时保持优异电学性能，因此被寄予厚望，成为未来先进逻辑器件、后段制程及晶背技术发展的关键材料之一。