【深铭易购】资讯：全球AI芯片需求持续爆发，也让先进封装产能成为半导体产业竞争焦点。继先前传出 Apple 有意将部分自研芯片订单交由 Intel 生产后，近期市场再传出，韩国存储大厂 SK hynix 正考虑在AI芯片与高频宽存储（HBM）整合领域，导入英特尔EMIB先进封装技术，引发业界关注。

根据韩媒报道，由于 TSMC CoWoS先进封装产能持续供不应求，SK海力士正在评估采用英特尔EMIB技术，作为未来2.5D封装解决方案之一。消息指出，双方目前已展开相关研发与测试，目标是利用英特尔提供的EMIB基板，整合HBM与GPU等高性能芯片。

据了解，SK海力士与台积电在先进封装领域合作多年，双方关系密切。SK海力士不仅是台积电“3D Fabric联盟”成员之一，双方更于2024年签署HBM4合作备忘录，共同推进下一代高频宽存储技术开发。当时SK集团会长 Chey Tae-won 还亲自拜访台积电董事长 C. C. Wei，展现双方长期合作关系。

不过，随着AI市场快速扩张，先进封装需求暴增，台积电CoWoS产能长期紧张，也让大型客户开始寻找替代方案。韩媒《ZDNet Korea》引述业内人士消息称，SK海力士目前正积极测试以EMIB进行2.5D封装，并同步评估未来量产所需的材料与零组件。

市场分析认为，这项合作若进一步落实，将符合双方利益。对SK海力士而言，可借由多元化封装供应链提升产能弹性与产品可靠性；对英特尔来说，则有机会进一步扩大先进封装业务版图，挑战台积电在AI封装市场的领先地位。

据了解，英特尔近期积极向SK海力士及主要封测厂（OSAT）推广EMIB技术，希望抢进AI加速器2.5D封装供应链。业界也传出，英特尔先进封装后段良率已提升至90%以上，虽然与台积电仍存在差距，但已具备稳定量产能力，开始积极争取一线芯片厂客户订单。

在技术布局方面，英特尔持续强化EMIB方案，规划今年实现八至十倍光罩尺寸扩展，并以更低成本提供高密度运算能力。其中，EMIB-M版本导入MIM电容设计，可强化电力传输；EMIB-T版本则加入硅穿孔（TSV）技术，可支援不同封装架构转换，以满足未来HBM与AI芯片更高的带宽需求。

随着AI服务器、高效能运算与HBM需求快速成长，先进封装技术的重要性持续攀升。如今英特尔积极切入晶圆代工与先进封装市场，也意味着全球半导体产业竞争正进一步升温。