【深铭易购】资讯：据韩国媒体《韩国经济》《每日经济》援引业内消息报道，三星电子正计划提前启动平泽半导体园区P5 Fab2工厂的建设进程，预计将在2026年7月正式动工，比原先规划的2027年初提前约六个月。此举显示出三星正在加快扩充半导体产能，以应对未来持续增长的存储器市场需求，并提前布局预计将延续至2027年之后的新一轮存储器超级周期。

据了解，P5 Fab2将与预计于2025年底恢复建设的P5 Fab1同步推进。两座工厂总投资规模预计高达120万亿韩元，约合820亿美元，成为三星近年来最重要的半导体扩产项目之一。

在规划上，P5生产基地将采用高度灵活的多功能产线设计，可根据市场需求变化调整生产方向，覆盖下一代DRAM、高带宽存储器（HBM）、NAND Flash以及先进制程晶圆代工等多个领域，以增强三星在AI时代的综合竞争力。

根据业界预估，P5 Fab1最快将在2029年开始量产。届时，P5 Fab1与Fab2合计月产能有望达到60万片12英寸晶圆，接近三星目前整体DRAM月产量65万片的规模，产能扩张幅度相当惊人。

随着人工智能、高性能计算及数据中心需求快速增长，以HBM为代表的高端DRAM和NAND产品需求持续升温。业内人士指出，三星加速推进P5项目，不仅是为了满足当前市场订单，更是希望借此巩固其在未来AI半导体产业中的领先地位。

与此同时，全球晶圆代工市场竞争格局也正在发生变化。为了降低供应链风险，包括NVIDIA、Tesla及高通在内的多家科技企业，近期正持续扩大与三星晶圆代工业务的合作。对于三星而言，能否尽快建立足够的先进产能，将直接影响其未来在全球半导体市场中的市占率与竞争优势。