【深铭易购】资讯：近日，国内集成电路良率管理领域的领先企业东方晶源宣布，凭借其在计算光刻方面的核心技术优势与持续创新能力，已与国内一家先进存储厂商达成深度战略合作，并签署金额近2亿元的长期合作协议。此次合作标志着双方将在先进存储工艺研发与良率提升方面展开全面协同。

根据合作内容，东方晶源将依托自主研发的PanGen®计算光刻平台及其全球首创的AI刻蚀模型产品PanGen vPWQ，为客户提供关键技术支持，加速先进工艺节点的开发与迭代进程。双方将围绕先进制程中的核心挑战展开联合攻关，推动半导体制造能力持续提升。

随着芯片工艺不断向更小节点演进，图形化相关的良率损失问题日益突出，成为制约晶圆厂研发效率与生产成本的关键因素。传统计算光刻流程多集中于光刻环节，而对后续刻蚀过程的预测能力有限，难以满足先进制程对精度与效率的双重要求。在此背景下，东方晶源推出PanGen vPWQ，通过融合物理模型与AI算法，实现对刻蚀后图形轮廓的高精度预测，有效弥补传统方法的不足。

该产品采用“物理模型+AI深度网络”的混合建模方式，能够利用大量晶圆SEM数据进行精准拟合，提升模型预测能力的同时避免纯AI模型的过拟合问题，并支持随产线工艺变化进行动态优化。此外，其复合刻蚀建模能力可整合LELE、SADP等多重图形工艺流程，直接输出刻蚀结果并完成工艺窗口验证，大幅提升制造效率。

在实际产线验证中，PanGen vPWQ已实现对刻蚀缺陷的精准预测与溯源，显著减少流片迭代次数，缩短研发周期并降低成本。同时，产品内置的自动目标修正功能（ART）可优化传统OPC流程，在复杂版图条件下提升图形保真度并降低人工调试成本。

此次获得头部存储厂商的订单，不仅体现了市场对东方晶源技术实力的高度认可，也标志着国产EDA工具在先进制程关键环节取得重要突破。公司表示，这一成果推动其HPO（全流程工艺优化）理念从理论走向实践，为客户提供覆盖设计、光刻及刻蚀等环节的一体化良率提升解决方案。

长期来看，东方晶源将继续聚焦良率管理与计算光刻核心技术，深化AI与制造工艺的融合应用，构建软硬件协同优化体系。借助此次合作契机，公司将进一步加大研发投入，携手产业链伙伴推动关键技术突破，助力我国半导体产业实现自主可控与高质量发展。