【深铭易购】资讯：据韩国媒体报道，三星电子预计将在本月底举办的 “2025 三星技术展（Samsung Tech Fair）” 上正式展示其第六代高带宽存储器（HBM4），并计划于 今年底启动量产。

与前一代 HBM3e 相比，三星此前在产品品质及 英伟达（NVIDIA）认证进度 上一度落后于 SK海力士（SK hynix） 与 美光（Micron）。过去，全球 HBM 市场也长期由 SK 海力士主导。然而，此次 HBM4 的亮相，被业界视为三星加速追赶竞争对手、以更成熟的技术与更快的量产节奏 重夺高端AI存储市场领先地位的关键一步。

产业人士普遍认为，HBM4 将成为下一代 AI 芯片与超大规模数据中心（Hyperscale Data Center） 的核心存储技术。若三星能在 良率与供应稳定性 上实现突破，将有望在生成式 AI 浪潮中与 SK 海力士并驾齐驱。根据业内观察，HBM4 在堆叠层数设计上实现了重大创新，传输速率提升至 9Gbps 以上，整体带宽较 HBM3e 提升超过 40%，显示三星已接近量产成熟阶段。

随着 AI 模型规模不断扩大，以及 高性能计算（HPC）系统 对带宽与性能的需求持续攀升，HBM4 的量产进度将直接影响 英伟达、AMD 等主要 AI 芯片厂商的供应链布局。市场分析指出，若三星如期在今年底启动量产，将有助于其在 2025 年重新跻身 AI HBM 主流供应阵营，有望改写当前由 SK 海力士主导的市场格局。