【深铭易购】资讯：据报道，有知情人士透露，因难以找到工厂产品的客户，三星将推迟位于美国得克萨斯州的半导体工厂竣工时间。

三星于2024年12月获得美国《芯片法案》提供的47亿美元补贴，计划未来几年在得克萨斯州投入超过370亿美元建设先进制造设施。该投资项目包括位于得克萨斯州泰勒市的半导体工厂，原定于2024年投产，但现已推迟至2026年。

知情人士指出：“由于缺乏客户订单，泰勒工厂的建设进度被迫延后。”另一位芯片供应链高管透露：“三星目前已在得克萨斯州奥斯汀开展芯片生产，因此并不急于在新工厂安装制造设备。本地芯片市场需求不旺，且三星几年前规划的工艺节点已无法满足现有客户需求。全面改造工厂将涉及巨大的投入与复杂工程，故公司目前持观望态度。”

此外，另一位知情人士表示，三星最初计划提供4纳米芯片组，后因客户需求调整，计划引入更先进的2纳米芯片工艺。此前消息显示，三星晶圆代工部门正积极争取包括特斯拉、高通在内的北美大型科技企业2纳米工艺订单。业内人士透露，三星正在考虑在泰勒新厂部署2纳米工艺，相关技术推进亟需加快。根据订单情况，公司还评估年底前将华城园区（S3）部分3纳米生产线转为2纳米生产线的可能性。