【深铭易购】资讯：5月29日，全球领先的半导体封装与测试企业日月光半导体正式发布搭载硅通孔（TSV）技术的扇出型基板上芯片桥接方案——FOCoS-Bridge，助力人工智能（AI）技术加速发展，进一步推动AI对全球生活方式的深层变革。

此项创新方案整合TSV技术，有效缩短数据传输路径，提升输入/输出（I/O）密度并增强散热效能，精准应对高速增长的带宽需求。通过TSV的引入，日月光VIPack FOCoS-Bridge技术平台在AI与高性能计算（HPC）应用场景中展现出更高的能源效率与系统整合能力，满足当前业界对计算效能的极致追求。

随着Chiplet架构与高带宽内存（HBM）的广泛应用，对高密度、高质量互连的需求日益提升。FOCoS-Bridge平台支持被动与主动芯片嵌入，在实现信号完整性的同时，优化电源传输路径，并提供高速并行数据通道。AI与HPC应用中电力传输架构的复杂化，迫切需要具备TSV的高效桥接解决方案，日月光的FOCoS-Bridge正是应对这一挑战的关键技术。

日月光半导体执行副总裁Yin Chang表示：“AI技术正在重塑各行各业，从智能制造、自动驾驶到下一代零售基础设施与精准医疗，AI的普及正带动运算性能与能源效率需求指数级增长。FOCoS-Bridge的推出，展现了日月光对人工智能生态系统的坚定支持，也进一步丰富了VIPack产品组合，为可持续的高效能计算提供了高密度、可扩展的封装平台。”

VIPack平台的不断扩展，体现了日月光在推动绿色、高效计算生态系统方面的战略愿景。借助FOCoS-Bridge的异质整合能力，日月光为AI与HPC等下一代高带宽、高功率系统提供强力支撑。目前，该方案已实现由两个相同扇出型模块组成的85mm × 85mm测试载具。每个模块包含四个TSV桥接芯片与十颗整合式被动元件芯片，横向连接一颗ASIC芯片及四颗HBM3芯片，展示了极高的系统整合能力。

在电力传输方面，TSV桥接芯片提供更短的垂直路径，显著降低传输阻抗。该技术将TSV与被动元件共同嵌入于重布线层（RDL），并通过三层5μm线宽/线距的RDL结构实现高效互连。相较于传统FOCoS-Bridge结构，TSV版本在电阻和电感上分别降低了72%和50%，为系统稳定性与效率带来显著提升。

日月光研发处长李德章指出：“随着HPC与AI应用需求持续增长，FOCoS-Bridge技术的导入不仅实现了SoC与Chiplet与高带宽内存之间的无缝整合，更大幅提升了运算与能源效率，使日月光在先进封装领域的技术优势再次跃升。”

FOCoS-Bridge已验证其提供高带宽与高速数据传输的能力，完美契合AI与HPC应用对低延迟与节能通信的要求。该技术不仅突破传统电性互连的限制，还支持在扇出封装中嵌入去耦合电容器、主动芯片等组件，实现处理器、加速器、内存之间的灵活互连与性能优化。

日月光工程与技术推广处长Charles Lee总结表示：“日月光始终站在先进封装技术的前沿，我们的优势在于持续创新与高效应变的能力，能够在快速变化的AI与HPC市场中，持续满足客户对高性能封装解决方案的多样化需求。”