【深铭易购】资讯：据韩国媒体Hankooki报道，全球存储芯片领导厂商SK海力士已成功将其第六代10纳米级（1c）制程的DRAM产品良率，从2024年下半年的约60%大幅提升至80%，顺利达成量产标准。

早在2024年8月，SK海力士就宣布率先开发出全球首款基于第六代10nm级1c制程的DDR5 DRAM产品。该技术为上一代1b平台的延伸版本，不仅在生产效率方面更上一层楼，在运行速度和整体性能上也实现了显著提升。除DDR5产品外，SK海力士计划将该先进制程进一步应用于其下一代移动内存LPDDR6及图形显存GDDR7产品中。

据悉，DRAM芯片通常在良率达到80%至90%时便可启动大规模量产。因此，第六代1c制程的DRAM产品已基本满足量产条件。然而，尽管该工艺取得突破，其在高带宽内存（HBM）领域的应用仍需时间，尚未达到大规模部署阶段。

市场消息指出，SK海力士预计将在2025年正式量产新一代HBM4产品，但初期仍将采用较为成熟稳定的第五代10nm级（1b）制程，以确保产品稳定性与良率表现。