【深铭易购】资讯：日本芯片制造商铠侠（Kioxia）宣布开发出一种全新的NAND闪存技术，该技术不仅提供更高的存储容量，还提升了33%的接口速度，预计将在人工智能（AI）数据中心中获得强劲需求。

相比于现已量产的第八代218层技术，第十代332层创新技术使数据存储密度提高了59%。铠侠在与美国合作伙伴闪迪（Sandisk）的一份联合声明中表示，新一代闪存产品将更加节能，数据输入功率效率提升10%，输出功率效率提升34%。

该闪存将采用日本本土生产，但具体的上市时间尚未公布。铠侠此举也标志着其加入了包括其他厂商在内的竞争行列，这些厂商也在致力于开发300层以上的闪存技术。

作为用于长期存储的NAND闪存，通过分层堆叠存储单元来提高性能，尽管如此，持续上升的设备成本仍然是一个挑战。铠侠正在积极探索创新方案，计划分别制造带有存储单元和带有控制器的晶圆（控制器负责管理读写操作），并将其粘合在一起，以优化性能。

此外，铠侠还在研发第九代闪存，预计将把现有存储单元技术与新技术结合，进一步提升读写性能。

通过这些创新，铠侠正逐步推动NAND闪存技术的发展，确保其在未来存储市场中的竞争力。