【深铭易购】资讯：据报道，中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）正在加速研发下一代DRAM产品。该公司未按照原计划采用17nm制程技术作为首款商用DDR5产品，而是采用了更先进的16nm制程技术。此外，长鑫存储的15nm制程技术也在持续开发中，预计将在2025年完成，并有望于2026年下半年实现商业化。

TechInsights近期拆解了光威（Gloway）发布的DDR5模组（16GBx2 DDR5-6000 UDIMM），发现该产品内集成了16颗由CXMT生产的16Gb DDR5内存芯片。经过分析，长鑫存储的16Gb DDR5芯片尺寸为66.99mm²，位密度为0.239Gb/mm²，电路线宽约为16nm。长鑫存储将这一产品命名为“G4”，相较于上一代G3（18nm制程），DRAM单元尺寸缩小了20%。对比韩国三星、SK海力士于2016年推出的16nm DRAM制程技术，它们将该技术命名为“1y”制程。

此前，长鑫存储主要生产采用17~18nm制程的成熟产品，如DDR4和LPDDR4X。然而，2024年11月，该公司首次发布了LPDDR5产品，2025年初成功实现DDR5商业化。据悉，长鑫存储对其采用G4制程的DDR5产品充满信心，并且目前看起来该公司在开发下一代DRAM制程的速度远超预期。

TechInsights指出，长鑫存储在开发17nm制程技术的同时，迅速推进了16nm制程技术的研发。因此，首款商用DDR5产品并未采用原计划中的17nm G4制程，而是采用了更先进的16nm技术。

此外，长鑫存储原计划开发15nm G5制程技术，但由于美国对先进半导体制造设备出口限制，无法引进EUV先进制造设备，导致该项目暂时推迟。不过，随着技术的成熟，长鑫存储预计可利用现有设备成功研发并量产下一代制程。即便美光的13nm DRAM制程技术未使用EUV，长鑫存储的技术仍有望突破瓶颈。

2019年，三星和SK海力士推出了“1z”15nm DRAM制程技术，目前两家公司正在推进12nm DRAM制程技术（“1b”制程）的量产。尽管韩国和中国之间的DRAM制程技术仍存在差距，但随着中国技术的不断进步，两国之间的差距正在逐步缩小。

TechInsights强调，长鑫存储的G5制程技术预计将在2025年底完成开发，并计划在2026年下半年推出样品。虽然初期产品的良率可能较低，但随着技术的不断成熟，预计长鑫存储将在未来几年的DRAM制造领域迎来新的突破。然而，长鑫存储仍面临挑战，因为先进DRAM制造需要依赖EUV等曝光技术及其他高端生产设备，如高深宽比（HAR）和低温蚀刻技术，这些设备受限于美国的出口政策，难以获得。因此，中国正积极推动制程优化和先进生产设备的国产化，努力突破这一技术瓶颈。