【深铭易购】资讯：近日，三星电子宣布，其半导体研究所已成功开发出突破性的400层NAND技术，并于11月正式启动该技术在平泽P1工厂量产线的转移工作。这一重要里程碑标志着三星在NAND闪存技术领域继续保持领先地位，为迎接来自SK海力士等行业竞争对手的挑战做好准备。值得注意的是，SK海力士此前已宣布量产321层NAND，进一步加剧了市场竞争。

三星计划在2025年2月于美国召开的国际固态电路会议（ISSCC 2025）上，正式发布其1Tb容量的400层三级单元（TLC）NAND技术的详细信息。这种高阶技术的量产预计将于明年下半年开始。然而，有行业专家预测，若进展顺利，量产可能会提前至第二季度末启动。

除400层NAND外，三星还计划明年扩展其先进产品线的生产能力。公司将在平泽园区新增第9代（286层）生产设施，预计每月产能可达3万至4万片晶圆。同时，三星位于西安的工厂将逐步将128层（V6）NAND生产线升级为236层（V8）工艺，为市场提供更高性能的产品。

400层NAND的成功开发代表了NAND技术的重大飞跃。自从传统平面（2D）NAND演变为3D NAND后，存储技术得到了显著提升。通过垂直堆叠存储单元以提高存储密度与效率，三星在这一过程中引入了“三重堆叠”技术，即将存储单元分三层堆叠，从而显著推动了技术发展。

在全球NAND市场中，三星以36.9%的市场份额稳居首位，但竞争压力不容小觑。SK海力士在2023年率先实现238层NAND的量产，并于近期启动了321层NAND的量产，进一步争夺市场份额。

当前，NAND闪存市场受消费者需求、价格波动以及人工智能（AI）和数据中心等数据密集型应用快速发展的驱动。受全球AI热潮的影响，用于数据中心的NAND需求正在上升。但与此同时，128Gb多层单元（MLC）NAND产品的价格在11月环比下降29.8%，平均价格仅为2.16美元。根据TrendForce的分析，今年第四季度NAND价格预计将下跌3%至8%，但企业级固态硬盘（SSD）价格预计将上涨最高达5%。

在为400层NAND量产做准备的同时，三星电子也在积极优化晶圆的生产良率。目前，NAND技术研发阶段的良率仅为10%至20%。将该技术成功转移到量产线并提升良率，将是满足市场需求和巩固领先地位的关键所在。