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美光:AI需求激增,HBM和EUV DRAM将于2025年量产
发布日期:2024-10-26浏览量:94

【深铭易购】资讯:随着人工智能(AI)技术从云端扩展至消费设备,市场对AI的需求不断增长,美光科技已将其高带宽内存(HBM)生产能力全数投入至2025年的需求。美光公司副总裁兼美光中国台湾负责人陆东辉(Donghui Lu)表示,美光正在积极把握AI需求激增的机会,预计在2025年将提供更高性能的产品。

陆东辉指出,大型语言模型的快速发展,对内存和存储解决方案的需求前所未有地增加。作为全球领先的存储制造商之一,美光有能力充分利用这一增长机会。他认为,尽管当前AI投资主要集中于建设新型数据中心以支持大型语言模型,但整个基础设施仍在逐步完善,可能还需数年时间才能完全成型。

美光预计,下一波AI增长将来自智能手机和个人电脑等消费设备的AI集成,这一变化将显著提升对大容量存储的需求,以支持日益丰富的AI应用。陆东辉介绍,HBM技术涉及先进封装工艺,结合了晶圆制造和封装测试等多个工艺步骤,这对行业带来了新的挑战。

在竞争激烈的存储行业中,开发和提升新产品的速度至关重要。陆东辉解释道,由于HBM芯片生产需要大量传统内存芯片,每个HBM芯片的生产可能会挤占传统内存的生产资源,从而对行业产能形成压力。他指出,存储行业在供需之间的微妙平衡是关键问题,产能过剩可能引发价格战,甚至导致行业下滑。

陆东辉特别强调了中国台湾在美光AI业务中的重要地位。美光在中国台湾的研发团队和制造设施对HBM3E的开发和生产至关重要,其HBM3E产品通常与台积电的CoWoS技术集成,这种深度合作带来了显著的优势。

美光也认识到EUV技术对提升存储芯片性能和密度的关键作用。公司决定在1α和1β节点阶段暂缓采用EUV,以确保优先兼顾性能和成本效益。陆东辉指出,EUV设备的高成本与复杂性对制造流程提出了显著的调整需求。美光的主要目标是在具有竞争力的成本下生产高性能存储产品,推迟EUV的采用使其能更有效地达成这一目标。

美光表示,其8层和12层HBM3E产品的功耗比竞争对手低30%,并计划于2025年在中国台湾大规模量产EUV技术1γ节点。此外,公司还计划稍晚在日本广岛工厂引入EUV技术,以保持产品的市场竞争力。