【深铭易购】资讯：英飞凌近日宣布，公司成功实现了全球首创的12英寸（300mm）晶圆GaN芯片生产技术。这项突破旨在满足人工智能（AI）数据中心和电动汽车等领域对高能效功率半导体日益增长的需求。

英飞凌CEO Jochen Hanebeck指出，预计到本十年末，这一市场规模将达到数十亿美元。

英飞凌电源与传感器系统总裁Adam White透露，首批GaN芯片样品将于2025年第四季度交付客户使用。相比传统的8英寸（200mm）晶圆，12英寸晶圆能容纳2.3倍数量的GaN芯片，显著提升了生产效率。目前，所有先进的处理器芯片均在12英寸晶圆上制造，而功率芯片行业仍主要使用8英寸晶圆。

GaN（氮化镓）作为芯片制造领域中硅的替代品，因其高效、快速、重量轻以及能够在高温和高电压环境下运行的特性而备受青睐。

2023年10月，英飞凌成功收购GaN Systems，并通过双方研发资源的整合与人员协作，激发了大量创新灵感。这一合作推动了英飞凌在氮化镓技术上的不断突破和创新，相关产品线迅速扩展。

此外，英飞凌还在碳化硅（SiC）技术方面持续投入。今年8月，英飞凌在马来西亚启动了公司历史上最大的功率芯片工厂。一旦马来西亚居林工厂在未来五年内实现满负荷生产，它将成为全球最大的碳化硅芯片生产基地。