【深铭易购】资讯：根据消息，美国存储制造商美光计划首次采用日本佳能的纳米压印（NIL）光刻机，以期进一步降低DRAM存储器的生产成本。

美光最近举办了一次演讲，详细介绍了纳米压印技术在DRAM生产中的应用。美光解释了在DRAM制程和浸润曝光分辨率方面的问题，随着Chop层数的增加，需要增加更多的曝光步骤，以提取密集存储阵列周围的虚拟结构。

由于光学系统的特性，使用光学曝光图案对DRAM层图案进行成像较为困难，而纳米压印可以实现更精细的图案，且成本仅为浸润式光刻的20%，因此成为更优越的解决方案。然而，纳米压印并不能完全替代传统光刻在存储器生产的所有阶段，它们并非完全竞争关系，但至少可以降低部分技术操作成本。

佳能于2023年10月推出了新型FPA-1200NZ2C纳米压印光刻机，可将电路图案直接印在晶圆上。佳能强调了该设备的低成本和低功耗，成为业界争论的焦点。

佳能半导体设备业务部长岩本和典在解释纳米压印技术时表示，纳米压印技术是将刻有半导体电路图案的掩模压印到晶圆上。在晶圆上只需进行一次压印，就能在合适的位置形成复杂的2D或3D电路。通过改进掩模，甚至可以生产线宽达到2纳米节点的产品。目前，佳能的纳米压印技术使图案的最小线宽对应于5纳米节点的逻辑半导体。

佳能表示，FPA-1200NZ2C纳米压印光刻机将在2024年至2025年间交付。