【深铭易购】资讯：2025年12月18日，SK海力士（SK hynix，以下简称“公司”）宣布，其基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM*高容量服务器DRAM模块，已成功应用于英特尔®至强®6（Intel® Xeon® 6）平台，并首次通过英特尔®数据中心认证（Intel® Data Center Certified），标志着该产品在性能、兼容性与可靠性方面获得业界权威认可。

* 寄存双列直插式内存模块（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的DRAM模块。

此次认证在美国英特尔先进数据中心开发实验室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成。SK海力士在多轮严苛的综合评估中，验证了该256GB DDR5 RDIMM产品在与Xeon 6平台搭配运行时，具备卓越的性能表现、系统兼容性及产品品质。此前，公司已于今年1月完成了基于第四代10纳米级（1a）16Gb单片的256GB DDR5 RDIMM产品的相关认证。

SK海力士表示，此次率先完成与全球服务器CPU市场领导者英特尔最新平台的兼容性验证，充分证明公司在高容量DDR5服务器内存技术领域已达到全球领先水平。未来，公司将以此为契机，进一步深化与全球主要数据中心客户的合作，快速响应不断增长的服务器需求，持续巩固在下一代存储器市场的竞争优势。

随着人工智能（AI）基础设施的快速演进，存储器正逐步成为决定系统整体性能的关键因素。当前的AI推理模型不仅需要完成基础的内容生成任务，还需执行复杂的逻辑推理与实时数据分析，数据处理规模呈指数级增长。在此背景下，高容量、高性能且高可靠性的服务器DRAM正成为数据中心的核心需求，相关市场需求持续攀升。

SK海力士强调，该256GB DDR5 RDIMM产品是高度契合当前市场趋势的解决方案。公司技术团队指出，与采用32Gb 128GB内存配置的服务器相比，搭载该产品的系统在AI推理场景下性能提升约16%；同时，得益于32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb单片的256GB产品降低约18%。因此，公司预计注重功耗效率*的数据中心客户将高度关注该产品。

* 功耗效率：一定单位功率每秒可处理的数据容量指标。

SK海力士DRAM产品规划负责人、李相权副社长表示：“通过此次英特尔数据中心认证，公司进一步巩固了在DDR5服务器DRAM市场的主导地位，并能够更加迅速、灵活地响应客户需求。作为面向AI时代的全方位存储器解决方案提供者，我们将持续推进高性能、低功耗、高容量存储技术的发展，满足不断增长的市场需求。”

英特尔平台架构副总裁Dimitrios Ziakas亦表示：“双方的紧密合作显著提升了整体技术成熟度，并取得了积极成果。高容量服务器内存模块将有效应对AI工作负载的快速增长，为数据中心客户带来更高的性能和能效水平，同时推动存储器技术的持续进步。”