【深铭易购】资讯：近日，台积电在北美技术研讨会上正式公布了其N2（2纳米）工艺在同阶段相较于前代制程的缺陷密度（D0）数据。官方数据显示，N2工艺的缺陷密度显著低于N3（3纳米）、N5（5纳米）和N7（7纳米）节点，展现出优异的制程控制能力。同时，幻灯片内容也显示，N2距离量产仅剩约两个季度，台积电有望按计划于2025年第四季度末正式开始2纳米芯片的量产。

值得注意的是，N2是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管架构的工艺节点。尽管引入了新型晶体管结构，其缺陷密度在相同阶段已优于前代制程，并比量产前提前两个季度实现了大幅下降。相比之下，N3/N3P、N5/N4和N7/N6等前代工艺均基于成熟的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术，这一对比更加凸显了N2制程在良率提升方面的突出表现。

从台积电提供的缺陷密度趋势图来看，时间跨度覆盖了量产前三个季度至量产后六个季度。各节点（N7/N6 - 绿色、N5/N4 - 紫色、N3/N3P - 红色、N2 - 蓝色）的缺陷密度均随着时间推移而显著下降，但下降速度因节点复杂度而有所不同。其中，N5/N4在早期阶段的缺陷改善最为迅速，而N7/N6的良率提升相对平缓。虽然N2初期缺陷密度略高于N5/N4，但其下降趋势迅猛，与N3/N3P的轨迹非常接近，显示出良好的工艺优化潜力。

台积电特别强调，产量规模与产品多样性是加速缺陷密度改善的关键因素。更高的产出量和丰富的产品组合有助于更快速识别与修正缺陷问题，从而缩短学习周期，提升整体良率。当前，台积电已为智能手机及高性能计算（HPC）领域的客户进行N2工艺的风险量产，新流片数量较前代大幅增加，这一趋势也在缺陷密度下降曲线中得到了充分印证。

尤其值得关注的是，尽管N2引入了全新的GAAFET架构，其缺陷密度下降曲线仍与基于FinFET的节点保持一致。这表明台积电在向新一代晶体管技术过渡过程中，成功继承并优化了其在制程学习与缺陷管理方面的深厚经验，确保了N2工艺的稳健发展，未遭遇重大技术障碍。