【深铭易购】资讯：近日，位于莫斯科的泽列诺格勒纳米技术中心宣布，已成功研发出俄罗斯首台350nm光刻机，并已准备好批量生产。这项突破性的进展标志着俄罗斯在光刻技术领域的重大进步。泽列诺格勒纳米技术中心目前正根据第二份国家合同，推进开发130nm光刻机，预计将于2026年完成。

莫斯科市长Sergei Sobyanin指出，俄罗斯的光刻系统在技术上与国外同类设备存在显著差异。此次研发的光刻机首次采用固态激光器作为光源，这种光源具有功率强大、节能、寿命长、光谱窄等优势。

微芯片制造过程中，通过分层工艺在晶圆上创建数十亿个微小的电子元件，其中光刻技术是关键步骤。光刻是将电路图案从掩模转移到晶圆表面的过程，为后续的刻蚀和沉积工艺奠定基础。光刻机在微芯片生产中起着至关重要的作用，能够将复杂的集成电路设计精准地转移到硅晶圆上，是芯片制造过程中不可或缺的核心工具。

光刻机主要分为两种类型：深紫外（DUV）光刻机和极紫外（EUV）光刻机。它们的光源和波长不同，直接影响了可制造的图案尺寸和复杂度。DUV光刻机使用准分子激光器（例如248nm氟化氪（KrF）或193nm氟化氩（ArF））发射深紫外光；而EUV光刻机则采用激光产生等离子体（LPP）系统，通过CO₂激光器喷射锡液滴产生13.5nm的极紫外光。

与使用气体激光器的DUV和EUV光刻机不同，俄罗斯研发的光刻机采用了固态激光器。固态激光器的光学转换效率更高（可达20%~30%），而气体激光器（如CO₂激光器）的效率较低（约10%~15%）。固态激光器使用掺杂固体（晶体或玻璃）作为增益介质，这与气体激光器的气态介质不同。增益介质就像激光器的“燃料”，能将外部能量转化为强大的聚焦光束。

正如莫斯科市长所言，全球能够生产光刻机的国家/地区不到十个，包括荷兰、日本、美国、中国和俄罗斯等。荷兰是全球光刻机的领军者，ASML公司主导着全球市场，批量生产DUV和EUV光刻机。虽然其他国家也具备制造DUV设备的能力（适用于28nm及以上的技术节点），但只有ASML能够生产EUV系统，应用于7nm及以下技术节点。

俄罗斯目前有少数几家公司正在使用进口的DUV设备运营晶圆厂。俄罗斯的主要参与者Mikron（总部位于莫斯科附近的泽列诺格勒）已经能够批量生产90nm芯片，并于2020年获得65nm工艺的生产资格，但其生产能力尚在进一步提升中。

俄罗斯政府计划到2027年实现28nm技术节点的本地芯片生产，并力争在2030年实现14nm技术节点的本地制造。2024年10月，俄罗斯宣布将拨款超过2400亿卢布（约合25.4亿美元）支持一项宏大的计划，旨在到2030年替代外国的芯片制造设备。该计划将启动110个研发项目，减少对进口晶圆设备的依赖。