【深铭易购】资讯：根据韩国媒体的报道，三星电子近日与中国存储芯片制造商长江存储签署了一项专利许可协议，授权使用“混合键合”（Hybrid Bonding）技术，以支持其第10代（V10）NAND Flash产品的生产。这项协议的签署旨在为三星的400层堆叠NAND Flash的开发提供技术支持。

报道称，三星选择向长江存储获取“混合键合”技术专利授权，主要是因为长江存储在这一技术领域处于全球领先地位。经过评估，三星认为，从V10 NAND产品开始，已无法避免长江存储专利的影响。

在传统的NAND Flash制造过程中，通常只使用单一晶圆，NAND阵列和CMOS电路集成的方式主要有两种：一种是将CMOS电路放置在阵列旁边（CMOS Next Array，CAN）；另一种是将CMOS电路置于NAND阵列下方（Cell-Under-Array，CUA）。大多数NAND供应商在其初期的3D NAND工艺中采用了CAN方法，之后逐步转向CUA架构。三星和SK海力士也开始采用CUA架构，三星称之为COP（Cell-on-Perry），而SK海力士称之为PUC（Cell-Under-Cell）。

然而，随着3D NAND堆叠层数的不断提升，传统3D NAND架构的外围电路面积占比逐渐增加，可能达到50%以上，从而影响存储密度。为了解决这一问题，长江存储自2018年推出Xtacking技术，推动3D NAND制造向CBA（CMOS Bonded Array）架构转型。CBA架构通过将NAND阵列和CMOS电路分别制造在两个独立的晶圆上，并通过“混合键合”技术将它们垂直堆叠，从而提升了存储密度和生产效率。

长江存储的Xtacking技术，采用了晶圆到晶圆（W2W）混合键合方式，省去了传统的“凸点”连接，并缩短了电路路径，提高了传输速度，降低了功耗，同时增强了芯片的可靠性。随着3D NAND堆叠层数逐步增高，NAND阵列+NAND阵列+CMOS电路层的堆叠架构使得混合键合技术的需求也愈发强烈。

长江存储在CBA架构的技术投入使其在NAND领域迅速赶超国际一线厂商。目前，长江存储已成功量产160层、192层、232层的NAND产品，并在今年早些时候实现了270层的2yy 3D TLC NAND的商业化。根据最新的研究报告，长江存储的2yy 3D NAND是目前市面上密度最高、层数最多的产品，且已突破20Gb/mm²的位密度。

与此相比，虽然三星、SK海力士等主流厂商也在推进300层以上的3D NAND生产，并计划量产更高层数的产品，但长江存储凭借其领先的技术积累，在全球3D NAND市场中占据了重要位置。值得注意的是，三星的V10 NAND产品将在2024年量产，并将采用两片晶圆的混合键合技术，而长江存储在这一领域的技术领先性使得其他厂商在专利问题上可能会遇到障碍。

为应对这一挑战，三星与长江存储签署了混合键合技术专利许可协议。三星计划在2024年底前开始量产V10 NAND产品，因此必须尽早解决专利问题。此举被视为三星通过合作加速技术开发的策略，预计SK海力士等尚未量产CBA架构产品的厂商，未来可能也会寻求向长江存储获取“混合键合”技术专利授权。